小米12Pro搭载澎湃P1充电芯片行业首次实现120W单电芯充电技术

，今天，小米发布了自研的第三款芯片澎湃 P1雷军称，小米 12 Pro 搭载澎湃 P1 充电芯片，行业首次实现120W 单电芯充电技术

小米现已发布澎湃 P1 的详细介绍，官方称澎湃 P1 填补了 120W 单电芯快充行业空白。

小米表示，过去的单电芯快充体系中，要把输入手机的 20V 电压转换成可以充入电池的 5V 电压，需要 5 个不同种电荷泵的串并联电路大量的电荷泵和整体串联的架构会带来很大的发热量，实际使用中完全无法做到长时间满功率运行，更难以做到 120W 高功率快充

驱动小米 120W 澎湃秒充的核心是两颗小米自研智能充电芯片:澎湃 P1它们接管了传统的 5 电荷泵复杂结构，将输入手机的高压电能，更高效地转换为可以直充电池的大电流

小米表示，澎湃 P1 作为业界首个谐振充电芯片，拥有自适应开关频率的 4:1 超高效率架构，谐振拓扑效率高达 97.5%，非谐振拓扑效率为 96.8%，热损耗直线下降 30% 。，根据中兴官方的消息，在中国电信2021天翼智能生态博览会上，中兴通讯发布了业界首创“极简车载5G方案”并展示方案定制产品。。

澎湃 P1 本身承担了大量的转换工作:传统电荷泵只需要两种工作模式，而澎湃 P1 需要支持 1:1，2:1 和 4:1 转换模式，并且所有的模式都需要支持双向导通，这意味着总共需要 15 种排列组合的模式切换控制 —— 是传统电荷泵的 7 倍正向 1:1 模式让亮屏充电效率更高，正向 2:1 模式可兼容更多充电器，正向 4:1 可支持 120W 澎湃秒充，反向 1:2/1:4 模式可支持高功率反向充电

小米称，澎湃 P1 也是小米充电效率最高的 4:1 充电芯片，可做到 0.83W / mm 超高功率密度，LDMOS 也达到业界领先超低 1.18mΩmm RSP而澎湃 P1 芯片内部需要用到三种不同耐压的 FLY 电容，每颗电容需要独立的开短路保护电路，而每种工作模式又需要严格控制预充电压，功率管数量接近传统电荷泵的两倍并且因为拓扑设计和功能复杂度的提升，每片澎湃 P1 在出厂时都需要通过 2500 多项测试，远高于传统电荷泵

本站了解到，即将在 12 月 28 日发布的小米 12 Pro 是第一款搭载澎湃 P1 的智能手机，它支持有线 120W 澎湃秒充，50W 无线秒充和 10W 无线反向充电小米表示，小米 12 Pro 的 120W 澎湃秒充技术拥有两挡模式:低温模式，温度仅 37℃，体温般舒适，疾速模式，一杯咖啡的时间疾速满电

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