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台积电预计3nm工艺在年内试产明年下半年正式量产

责任编辑:安远    来源:C114通信网    发布时间:2021-11-25 14:36   阅读量:6534   

据韩国媒体报道,三星晶圆代工部门最近几天公开透露,计划在明年上半年量产第一代3nm工艺,量产一年后继续导入第二代3nm工艺。

台积电预计3nm工艺在年内试产明年下半年正式量产

这一进度直追台积电有传闻称,三星3nm将获得高通,AMD的订单,以及自家的Exynos手机芯片订单

据此前报道,台积电预计3nm工艺在年内试产,明年下半年正式量产强化版的3nm工艺,将在量产后一年推出

三星的规划,显示出与台积电展开激烈竞争根据消息显示,三星也将在美国投资建设新晶圆厂,投资规模达到170亿美元

三星电子的3nm工艺没有继续采用finfet技术,而是采用GAA技术。三星表示,采用该工艺制造的芯片性能将比5nm提高50%,能耗降低50%。

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