全球半导体企业为了率先批量生产200层以上NAND闪存展开了激烈的技术竞争

全球半导体企业为了率先批量生产200层以上NAND闪存，展开了激烈的技术竞争三星电子计划在2022年底或2023年上半年推出200层以上NAND闪存，并在明年上半年开始批量生产

据businesskorea报道，三星电子原计划在2021年末开始量产176层NAND，但考虑到市场情况，推迟到了2022年第一季度不过美国的美光已经开始量产176层NAND，业内人士预测，三星电子将加快200层以上NAND闪存量产的步伐，以夺回被美光夺走的技术领先地位

业内人士称，三星电子将在128层的单片存储器上叠加96层，推出224层的NAND闪存与176层相比，224层NAND闪存的生产效率和数据传输速度将提高30%

在经历了近半年的低位后，NAND闪存单价终于在12月趋稳，但这或许并不是市场向好的信号。“当前NAND闪存市场仍处于供过于求阶段，近来PC需求复苏使供过于求的状况略为好转，但还不足以改变现状。”集邦咨询分析师叶茂盛表示。

郑重声明：此文内容为本网站转载企业宣传资讯，目的在于传播更多信息，与本站立场无关。仅供读者参考，并请自行核实相关内容。